据国外报道，国际三大内存厂商之一的英飞凌（Infineon），日前宣布将扩大位于美国里奇蒙（Richmond）的半导体工厂的产能。该半导体工厂是英飞凌旗下较大的工厂之一，此项扩产计划原本在2000年就要执行，但后来因IC产业景气不佳而搁浅。
英飞凌表示，这次扩产将耗资10亿美元，主要是为里奇蒙的工厂扩建300毫米晶圆的生产线，而扩建后的新流水线主要用于生产DRAM产品。分析人士认为，英飞凌此次大手笔动作，印证外界对半导体IC产业前景看好，投资者也愿意进一步追加投资，另外近期内存价格飞涨也是英飞凌此次扩建的另一重要原因。
英飞凌还透露，里奇蒙工厂的扩建将于2005年初完成并开始量产。新生产线将首先采用110纳米制程，然后在短期内会提升到90纳米制程进行生产。按计划，扩建后该厂每月投片量将达2.5万片，而且根据市场需求的变化，还可能会进行再次扩产。扩产后，里奇蒙厂原有的200毫米晶圆生产线不会受到影响，仍旧全速生产。
不久前，英飞凌曾宣布向其位于德国德累斯顿（Dresden）的工厂追加投资1.2亿欧元，以维持该厂的先进技术。不过待里奇蒙工厂扩建完毕后，德累斯顿工厂原有的200毫米生产线可能会不再用于生产DRAM产品，而是转向逻辑芯片的生产。
众所周知，300毫米晶圆生产线将大幅提高产能，英飞凌此举或许会缓解目前DRAM供应紧张的局面。如果其它内存大厂也能顺势而动，内存价格下跌指日可待。
