以下报道来自X-bit labs。众所周知，英特尔曾表示其开发代号为“Dothan”的下一代移动处理器与现有的Pentium M平台在针脚定义上完全兼容，然而笔记本制造商却担心新芯片在增加了热设计功率（thermal design power）之后，会使得原来只为Banias设计的散热系统无法满足功耗更大的“Dothan”处理器的散热需要。
作为英特尔迅驰移动平台的核心元件，Pentium M处理器专门为移动应用进行了基于微架构的优化，因此能够保证在提供高性能的同时功耗也尽可能地低，从而使得如今的移动系统能拥有更长的电池续航时间。我们知道，与Pentium 4的内部设计相比，Pentium M处理器的总体微架构更类似Pentium III。不过，Pentium M处理器在前代P6架构的基础上进行了一些重要的革新，譬如对SSE和SSE2的支持，先进分支预测，微操作融合，功率优选处理器总线，专用栈管理器技术以及经过改进的英特尔SpeedStep技术等。
英特尔现有的Pentium M处理器拥有400MHz FSB，1MB二级缓存，使用0.13微米工艺制造，工作频率在900MHz到1.7GHz之间，功率则在12瓦到24.5瓦之间。
与其相比较，Intel Pentium M “Dothan”处理器将使用英特尔的90nm制造技术，然而由此产生了功率泄露（power leakage）问题以及比预期更高的热量和功耗。笔记本制造商表示，由于“Dothan”核心拥有2MB二级缓存，而起始工作频率更有望达到1.8GHz，因此与Banias相比功耗大得多。而如此高的功耗导致笔记本厂商不得不重新设计现有系统，至少是对其中的一些散热系统进行改进来兼容新处理器。
除此之外，英特尔预计明年推出开发代号为“Jonah”的双核心移动处理器。该处理器计划将包括两颗Dothan核心，功耗更是达到45W之巨。
英特尔公司尚未就此做出官方评论。
