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内外兼修--PQI 4400-256SB内存测试

类型:原创 作者:中关村在线 axl rose 日期:2004-10-14 15:44:09



    内存是计算机的重要硬件设备之一,如果没有内存的帮助,即使拥有再高频率的CPU也无法发挥其最佳的性能,同时我们也不能很好的运行大型程序和游戏,由此看来内存是计算机硬件设备中不可或缺的组件 。内存设计初衷是为了应付日益增大的应用程序,并且由于处理器缓存的先天不足,处理器缓存越大对处理器生产的集成工艺要求就越高、处理器内部的缓存电路就越复杂,这样作为随机存储器的内存储器就产生了,内存储器就一直被我们称做内存。

    内存标准一直是跟随处理器性能提升来变更的,当然频率以及性能也就渐渐增高,从早期的EDO、到目前还在使用的SDRAM,最后是目前内存标准的DDR SDRAM,内存频率在逐渐攀升。

    当Intel推出865PE/875P双通道内存芯片组 以及Pentium4C系列(800MHz FSB)处理器之后,内存开始成为重点,同时选择角度也发生了很大的改变。由于采用了支持双通道DDR内存的内存控制器,奔腾4处理器不再受到内存带宽的制约,不再像845系列芯片组中只能提供一半的带宽。


    来自宝岛台湾的世界级内存厂商pqi(劲永)最近隆重推出了新一代面向玩家用户的Turbo Memory内存模组,从字面意义上,可以很明显的感觉到一种速度感。没错,不用说很多人就能猜到,Turbo主打的招牌正是频率,pqi称这一系列产品为极速飚王。正视超频的存在与需求,并推出与之相适应的产品,也许正是pqi的理念之一。但与其他厂商不同的是,此次的Turbo系列跨越了市场的现任者和继任者——DDR与DDR-2。

    笔者手里拿到的这块是256M单通道DDR 550内存。频率达到了550MHz,已经相当快了,性能上也相应会有不错的表现。内存颗粒采用8颗184-pin DDR SDRAM。没有错误校验功能。内存的延迟为3-4-4-8,相对一些低频率内存所拥有的2-2-2-5延迟这款产品的延迟确实比较高,会影响一些性能,但是目前的高频率内存都是采用3-4-4-8的延迟,关于延迟问题我们会在稍后作出详细的描述。

    这款产品在做工方面也是很讲究的,采用6层PCB电路板,从金属散热片的边缘可以看到内存颗粒的焊点非常干净、整齐。最让人感到惊喜的就要数它的外型。“极速飚王”DDR 550内存最为明显的特征就是有着闪闪发光的金属外壳,共有四种金属色彩选择,本人这款为颜色为冥黑,这层外壳的作用有两个,一是可以及时的对内存颗粒进行散热,一是可以屏蔽电磁干扰对于内存稳定运行的影响。拿在手里沉甸甸的,做工十分精细,质感十足,给人以高品质的保证。这款DDR550的“极速飚王”全部采用原厂颗粒,而且这款产品采用了低电压设计,有效的控制了功耗和发热,的确是一款不可多得的好产品。

     从主板上拔下这条内存的时候可能由于用力不当,导致这条内存“分”成了两半,当时出现这个情况我着实出了身冷汗,难道自己力量见长,还是它如此不结实……可当我在仔细观看内存的时候,发现了这款内参身上的金属外衣并不是完全固定在内存上的,而是分为前后两片,前面那片是沾在内存条上的,而且八颗内存颗粒都是装在PCB板的前面,这样可以保证内存颗粒不会与外界接触而受到损坏;后面的那块金属散热片则是可拆下的,正常时通过凹槽与前面的金属散热片一起夹住内存条,再通过内存顶部的半圆型PQI标识固定牢固。刚才就是因为用力不当而将半圆型的标识拔出,导致了险情,看来是虚惊一场。PQI的这个设计还是比较巧妙的,大家在拔内存条的时候也要注意到这一点。

    下面就说说上文提到的高频高延迟和低频低延迟的问题。人们购买内存往往很关注内存的频率,认为内存的频率越高,就会更加完美地发挥CPU的性能,得到更好的整体性能。我对这样的看法不是完全的认同,其实还有一个技术指标是会对内存性能起很重要的作用——内存延迟。

    内存的延迟时间,就是内存的CL参数,是CAS Latency的缩略写法,它关系着内存的反应速度,代表着内存CAS信号经过多少个时钟(CLOCK)后,才开始读写数据。换言之就是说CAS信号维持多少个时钟周期后,后续数据才能被稳定地读取或写入。因此当CL=2时,表示数据经过两个时钟周期就可以稳定地写入。同样,CL=3时,数据必须等上三个时钟周期才能被读写。所以效率肯定比CL=2时会差一些。这个值与内存的质量有直接的关系,若是质量不好的内存,在高外频和CL=2的情况下,系统可能出现不稳定的情况,调整延迟CL=3,情况会有所改观。另外,同样频率的内存,低延迟设置(CL=2)就要比高延迟设置(CL=3)性能优越。由此看来内存的延迟时间对于内存的性能也是起了不可忽视的作用。

    如此看来,高频率和低延迟自然成为了高性能的代表,也会是选择内存的标准。但其实不然,高频率和低延迟的内存价格自然不斐,不是一般用户可以承受的。更重要的是现在的内存厂家还没有推出如此理想的产品(可能是出于商业上的考虑,这里不做讨论)。现在的内存往往是高频率高延迟(CL=3)和低频率低延迟(CL=2),这样低频率配合低延迟,性能也会有所提升。

    这款PQI 4400-256SB就属于前者,拥有高频率(550MHz)和高延迟(3-4-4-8)。

    从外观来看设计和做工都比较出众,那么它的性能如何呢?会不会是“绣花枕头”呢?接下来的测试就能为我们揭示它的性能情况。

    由于现有的测试平台只能提供DDR 400的测试,所以我们只对这条内存工作在400时进行了测试,然后又将其超频到450进行测试,超频后的性能提升还是可观的,可以通过下面的测试结果进行验证。  


     

CPU P4 3.2G
主板 升技 IC7-MAX3 875 + ICH6
内存 PQI 4400-256SB
硬盘 希捷 7200.7 120G 2M
显卡 捷波镭霸95移动II

    我们使用了Sisoft2003、PC Mark2002、PC Mark2004三款具有权威性的内存整体性能测试软件。先在没有超频的情况下,对P4 3.2G进行降频到200MHz X 8=1.6G,在此环境下的测试结果为:

Sisoft2003测试结果:

PC Mark2002测试结果:

PC Mark2004测试结果:

    由于内存的频率要靠调整CPU的外频来控制,所以要使内存频率提高到450MHz,CPU的频率也必须相应上升到225MHz X 8=1.8G,这样相比内存频率在400MHz时CPU的1.6G主频相应提高到1.8G。CPU频率有200MHz的提升,这样对测试结果0有一定的提升,不过影响不会很大,下面就是超频到450MHz后的测试结果:

Sisoft2003测试结果:

PC Mark2002测试结果:

PC Mark2004测试结果:

   

400MHz 450MHz
Sisoft2003 RAM Int Buffered 2958Mb/s 3355Mb/s
Sisoft2003RAM Float Buffered 2984Mb/s 3360Mb/s
PC Mark2002 6089 6817
PC Mark2004 2853 3250

    从测试结果来看还是令人满意的,频率超出50MHz,性能也有不小的提升.对于喜欢DIY和追求性价比的玩家来说真是不错的选择。

    纵观这款产品,外观给人耳目一新的感觉,金属质感十足,看着就赏心悦目,而且有不同的颜色可供选择,这一点个性化的设计和当年诺基亚率先推出可更换外壳的手机有异曲同工之秒,虽然不是什么新技术,但是很吸引人的眼球。其内在的性能也不容小视,有着不错的超频能力,能够满足追求高性能玩家的要求。可谓是内外兼修。

优点:550MHz的超高频率,达到DDR-I时代的颠峰
缺点:延迟较高,配套主板极少






资料来源:ZOL_评测中心
文章字数:3020
 
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