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日前，Intel正式公布了全球最先进的0.09微米芯片制造工艺。新工艺将被用于生产Intel微处理器，芯片组和通信产品。0.09微米制造工艺将于2003年正式上线使用，Intel由此将继续保持芯片界的技术领先地位。0.09微米技术的核心规格包括：

l 业界最窄的1.2纳米的“氧化物栅极”（gate oxide），其将极大程度提高晶体管性能

l 晶体管将由“应变硅晶”（strained silicon）打造，这是芯片界首次采用应变硅晶提升性能

l 7层铜互连，提升逻辑容量

l 全新的low-k电介质，提升芯片内联系速度

l 一个1.0平方毫米SRAM单元，同样为业界最小尺寸，其大大提升了芯片性能，并赋予芯片更多功能

l 300毫米晶元打造，降低成本

以上这些特点融合在一起将使Intel新处理器的性能提升不少。

晶体管方面，Intel的0.09微米工艺将使晶体管只有50纳米长（栅极长度），这是目前尺寸最小的CMOS晶体管产品。相对而言，时下的P4处理器，其晶体管尺寸为60纳米。

应变硅晶方面，Intel整合了高性能的应变硅晶在新的0.09微米制造工艺中。随着此技术的运用，芯片内电流将更加稳定，晶体管的工作速度也将大大提高。

铜互连和Low-k电介质方面，新的工艺整合了一种全新的CDO电介质材料，提升信号在芯片内的传输速率，并且降低芯片功耗。新的电介质采用了简单的双层叠加设计，非常便于生产。Intel采用了7层铜互连，同样将提升芯片性能。

0.09微米工艺将采用一组248纳米和193纳米波长相结合的印刷电路设备。

目前，Intel希望将75%的现有300毫米晶元0.13微米工艺嫁接到0.09微米工艺中，这样可以降低制造成本，同时确保生产线的成熟、稳定。Intel希望明年全面启用0.09微米制造工艺，率先采用0.09微米工艺的将是Intel最新的Prescott处理器，它同时基于Intel的NetBurst工艺，明年下半年将正式发布。