【中关村在线 干车 编译】 2002-05-28 09:27:23

日前，台湾TwinMOS勤茂科技成功研发出了DDR 400 SDRAM模组。他们将在下周台北的Computex大会上展出这款DDR 400出样。

据悉，一些台湾大型主机板生产企业目前纷纷和勤茂公司一起研发DDR 400主板，采用芯片组包括了威盛的KT400，矽统的SIS 645DX和SIS 648。测试结果表明，TwinMOS DDR 400模组兼容性良好，可以适用于各种规格的DDR 400主板。测试系统的P4 1.6GHz良好超频能力也表明了勤茂DDR 400的优越性能。

勤茂此次采用了不是很主流的华邦（Winbond）DDR 400颗粒。时下出产量最大，采用率最高的是三星的DDR 400颗粒TCB4。以下为勤茂DDR 400 SDRAM性能规格：

  时钟频率：200 * 2 = 400MHz

 数据带宽：3200MB/s

电压：2.5V

“金手指”针脚：184针

   内存模式：TSOP II DDR SDRAM

     容量：256MB/512MB

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