今天众多媒体纷纷报道了Intel展出0.09微米技术的消息。其中Vr-zone网站则早在上周就联系了Intel的技术官员Mark Bohr了解相关情况。据Mark Bohr透露，0.09微米制造工艺将被应用到明年推向市场的高速微处理器、flash闪存等等芯片上。

                         

             0.09微米SRAM芯片上的一个单元，内含6个晶体管。

    日前Intel成功开发出了首款采用0.09微米技术的SRAM芯片产品。这款52MB的SRAM芯片中一个单元拥有6个晶体管，整个芯片包括了3亿3千万个晶体管。0.09微米工艺的SRAM芯片尺寸只有0.13微米工艺相同容量SRAM芯片的一半。这些都预示着Intel将有能力在处理器上载带更大容量的缓存，并且性能更加出色，更加省电了。

                     

                    0.09微米技术的52MB SRAM芯片

    据悉，P4的Prescott处理器将是第一款采用0.09微米技术的产品。同时Intel计划采用300毫米直径的晶片来生产0.09微米的产品，这样出产的芯片数量和同样基于300毫米直径晶片的0.13微米产品相比整整提高了一倍，也就是一个300毫米直径的晶片可以打造出1千200亿个0.09微米（90纳米）的晶体管。

            

       300毫米直径的晶片，可容纳1千200亿个90纳米尺寸的晶体管。