就在我们刚刚结束了《SiS655/E7205/845PE,三款P4 DDR平台横测》文章，我们又收到来自微星科技送测的655 Max主板，同样采用SiS655核心搭配SiS963南桥设计，不同的是背面有“SAMPLE”字样，显示这是一款样品而并非最终上市产品。毕竟，SiS655还是一款崭新的控制芯片，通过我们上述的测试表明在双DDR333下其拥有比Intel E7205强大的整体性能，更甭提超频到双DDR400模式下。无疑在现阶段Intel865、875还没有正式发布的情况下，这款来自台湾矽统科技的SiS655稳居家用P4平台的性能之王。
虽然这只是一款标称“SAMPLE”的样品，但是拿到产品包装时我们依然被那鼓鼓囊囊的包装盒子吓了一跳，打开包装，里面各种配件一应俱全，光厚实的说明书就有3本，分别是主板说明书、安装手册和S-ATA的使用说明，此外还有3个功能扩展挡板，两根S-ATA连接线，光盘两张，S-ATA核心驱动软盘一张还有装机专用挡板以及丰富的IDE数据线。
我们知道来自矽统科技的SiS963核心是目前为止SiS方面功能最为强大的南桥核心，其不但支持6个USB 2.0端口，双通道ATA 133 IDE控制器，6声道音频系统，还整合有IEEE 1394火线控制器，因此我们在包装盒内发现了这样的三个扩展挡板，分别是1394扩展挡板，其中包括2个标准接口和一个mini火线接口，这样就可以连接任意IEEE 1394设备。中间这个是可以连接MSI蓝牙设备的USB 2.0接口，上面的是音频输出和光纤端口。
微星655 Max产品型号为MSI-6730，由于是样品阶段，产品版本号为1.0，依然采用火红的PCB，让人一眼就能看出这是MSI的产品。
我们看到这款SiS655产品虽然在PCB上比我们测试过的SiS655工程样板小了很多也窄了很多，但是其DIMM插槽的摆放位置依然和公版SiS655一模一样，两横两竖垂直放置。这样双通道概念显得比较明显，我们只需要把内存分别插在蓝色横向内存槽上和绿色纵向槽上。预计初期大部分品牌的SiS655都会采用类似设计。
大家都知道：Broadcom是世界知名通讯芯片厂商，一直以来和美国微软公司合作密切。其BCM5702WKFB是一款千兆级（Gigabit LAN）以太控制芯片，其实际传输速度原比我们常见的8139级别的100M网卡芯片快的多。虽然SiS963南桥核心内部整合有10/100M以太控制器，但是MSI依然为我们提供了更优秀的选择，这才是真正为用户着想的设计。
这是来自Agrer FW803的火线控制芯片，搭配SiS963核心能够实现3通道IEEE传输能力。我们知道SiS963核心内部虽然内建有IEEE 1394控制器，同样还需要一个PHY（物理链路层）来和外界设备相连，这个Agrer FW803就是实现这个功能的。
同样的还有这个实现数字/模拟转换的音频codec芯片。和常见的ALC650不同，微星为963实现数/模转换的IC采用了CMI的9739A，CMI9739A是一颗codec解码芯片，功能和ALC650基本一致。
随着S-ATA普及的呼声越来越强大和高涨，很多主板产品开始把S-ATA控制芯片当作主板的标准配置，更多的逻辑控制芯片场也纷纷修改自己的产品计划，在南桥中加入了对S-ATA的支持。我们看到这款微星655 Max也板载了PROMISE的PDC20376核心，该核心支持S-ATA传输的基础上还支持一个传统ATA133的IDE设备，更支持两个Serial ATA硬盘的RAID 0/1模式，因此我们看到主板板载了三个IDE扩展槽和两个S-ATA接口。
拿掉北桥芯片上面的散热片，我们看到了SiS655核心的真面目。其看起来非常像当年的赛扬II，核心面积也非常类似，比Intel的845系列大的多。至于北桥芯片，SIS963并不是一款全新的核心，这里不做过多介绍。
这款产品在超频方面功能异常丰富，首先，CPU外频支持100-250MHz线性调节，同时能保持AGP/PCI的66/33MHz不变，我们甚至能独立调节AGP/PCI的运行频率。电压方面，这款655 Max支持CPU/AGP/DIMM独立电压调节，所有超频选项全部提供，为我们将来压榨系统每一滴性能提供了前提。
至于内存频率的调节那就更丰富了，虽然矽统官方网站宣称SiS支持双通道DDR333模式，但是无论是矽统提供的工程样板还是这款微星的655产品都能很好的支持双DDR400模式，我们甚至看到了1：2的频率比，在1：2下DDR内存运行频率可就到了266MHz*2=532MHz了。
我们搭配了双DDR333、Pentium 4 2.8GA平台进行了测试，测试发现和前些天进行的《SiS655/E7205/845PE,三款P4 DDR平台横测》测试结果完全一致，这款产品性能完全超出同平台下I7205，仅仅在磁盘性能方面略有不如。因此我们这里不在罗列测试结果，有兴趣的网友请点开上述文章自行查看。
这是在这个平台下使用双DDR333内存测试得出的结论。我相信这个得分已经胜过任何解释语言，我也相信现在的网友使用的系统不可能有哪款能超越这个得分。尤其是其memory score得分已经达到了7200分以上。
其实不用搭配什么高级内存，我使用两根最普通的256M现代DDR266内存，分开插，内存设置为普通的133MHz模式，就已经跑出了上图的得分了。这种模式下已经完全超越了Intel 850E搭配PC800的RAMBUS的性能很多，远比P4X400搭配DDR400强。双通道内存控制器威力可见一斑。
加内存电压至2.8V（不可盲目效仿哦），我们讲这两条现代DDR266超到了DDR333下，而且CL设置为了2.0，超频能力够牛吧？？
现在市场上能买到的7205大都在1800左右，按照矽统一贯作风我相信即将上市的SiS655不会超过这个价格，甚至应该比1800低很多，同样是双通道P4平台，我们看到廉价的655能提供比昂贵的7205优秀的多的性能，起码在I865、875还没有推出之前，SiS655性能还是家用桌面领域最强大的。因此笔者相信将来这款优异的核心会有不错的市场表现，同时这款微星655 Max也就那么值得我们期待……
