日前，东芝公司推出了运行速度高达4.8GHz的第二代XDR DRAM样本——TC59YM916BKG，其容量为512Mb，运行周期为40ns。我们知道XDR DRAM是Rambus公司提出的，它延续Rambus公司推出的被N64及PS2主存储器所采用的RDRAM设计线路，是全新一代高速序列传输内存，该产品将被应用到索尼新一代PS3游戏机中做主存储器。
东芝4.8GHz 512Mb XDR DRAM样本采用1.27mm X 0.8mm BGA封装，运作电压为1.8V，振幅仅0.2V的DRSL微幅差动讯号技术，支持八倍数据传输率技术，实际工作频率为600MHz，最大数据传输率可达4.8 GHz。其频宽约为目前个人电脑上最高端的533MHz DDR2内存的九倍，是高端显示卡所采用的1.6GHz GDDR3内存的三倍之多。未来可望扩充6.4 GHz以上的数据传输率，XDR内存能通过128位的内存数据总线提供100GB/s的内存系统带宽。它将满足高内存带宽需求的应用，如高画质数字影音摄录放产品、电视游戏机、数字电视以及高性能工作站及服务器等。
目前预定投入XDR DRAM内存生产的厂商主要有东芝、Elpida与三星。据了解Elpida也将推出512Mbit 3.2GHz XDR DRAM的样品，预定到今年9月份正式量产。而三星除了在今年年初发表的256Mbit 4GHz的XDR DRAM内存外，还预定将今年上半年发表6.4GHz的产品。
