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三星突破80nm制程，造出2GBit内存颗粒

类型：原创作者：中关村在线 briza 日期：2004-09-22 08:07:27

据HKEPC报道韩国三星电子宣布其集团成功使用80纳米工艺技术，制造出全球第一颗拥有高达2GBit容量的DDR 2颗粒，这种高密度内存颗粒将有助增加服务器及工作站的内存容量，提高服务器及工作站的运作效率。

能够创造出这种高密度的内存颗粒，除了归功于80纳米外，还因为三星在内存制作上取得突破，例如、3D晶体管技术、RCAT列晶技术，都有助减少晶体管所占的空间体积。而三星亦表示80nm的DDR 2 内存颗粒会在2005年Q3进入市场。

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资料来源：中关村在线

文章字数：221

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