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QBM（Quad Band Rate）内存是由位于美国波士顿的内存公司Kentron开发的，它的优势在于在不增加内存运行频率的前提下却能成倍的增加内存子系统带宽。已经被Intel放弃的RDRAM就是因为价格因素而不敌DDR，并且正在逐渐被市场冷落。因此QBM技术依然架构在目前的DRAM内存技术之上，也就是说它的基本存储单元的结构同我们前面介绍的依然是一样的。利用QBM技术，我们一样可以使用目前所使用的内存颗粒来生产QBM内存条。

QBM内存样品

上图所示的就是QBM内存的样品，你会发现它的外观同DDR内存差不多只是在每一片内存芯片下多了一片FET（场效应管）芯片。这个芯片就是QBM实现4倍率数据传输的关键。

在上图所示的位封装架构中，我们可以看到两个DDR芯片被一个“二对一”FET开关连接。而FET则通过TAB接头同内存条的针脚相连接。系统标准时钟依然不变，还是100MHz或者是133MHz，QBM利用FET使得这个标准时钟产生90度的相位差，从而生成一个新的相位差同系统时钟相差90度的频率不变的时钟频率，然后把这两个时钟信号分别传送给FET所连接的两个DDR内存芯片。从而实现了4倍于普通的SDRAM内存的传输带宽。

从最近VTF2002透露的消息，目前VIA都已经在开发相关的芯片组了，其P4X800芯片组将会支持QBM 533或者QBM 667内存，这样将能提供4.2GB/s或者5.3GB/s，完全可以满足未来的Pentium 4处理器FSB带宽的需要。不过，目前SiS、Intel对于此种内存技术并没有表现出来很大的兴趣。