DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为「SDRAM II」。其最重要的改变是在接口数据传输上，他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。
DDR SDRAM模块部份与SDRAM模块相比，改为采用184针(pin)，4～6 层印刷电路板，电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚，且只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与PC1600是相同的规格，数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。
DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL；CAS Latency，CL是指内存在收到讯号后，要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好，不过这还要看内存颗粒的原始设定值，否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79)：DDR SDRAM一共有两种CAS延迟，分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A，而较慢的 CL= 2.5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外，较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。
DDR 内存规格
最高运行频率
DDR-266A DDR-266B DDR-200
CL=2 133 100 100
CL=2.5 143 133 125
在购买DDR内存时，用户也有一些需要注意的地方。目前可以看到的 DDR 内存颗粒的厂商有南亚，美光、三星、现代等。而规格上分为 PC1600、PC2100，PC2100还分为CL=2.5 与 CL=2 两种。目前市场主流应该是PC2100 CL=2.5，至于识别方法，用户可以先把内存颗粒的编号记下来，然后到网站上去搜寻该公司的产品资料。
以韩国三星的DDR 内存为例，它的颗粒编号为 K4H280838B-TCB0，然后再到网站上找到它的 Data Sheet。可以看到代号"B0"的规格为PC2100 CL=2.5，也就是DDR 266B。
目前性能表现最好的DDR 内存是PC266A，即PC2100 CL=2，如果您对性能有特殊要求，在购买 DDR 内存时，就可以利用这个方法来判断。
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