众厂不推DDR-I 400MHz记忆体将采用下一代DDR-II标准 。国际3大DRAM厂 Elpida、Hynix半导体与亿恒（Infineon）科技于电子组件评议会（JEDEC）中表示，并无计划以DDR-I标准推出速度达400MHz的内存，将在2002年以下一代DDR-II标准推出400MHz的记忆体样品。

　　Elpida表示，即使芯片业者可制造出DDR-I 400MHz记忆体，模块与主机板业者也不见得会支持。

　　Hynix美国分公司应用行销部总监Joo Sun Choiu表示，以目前的DDR-I标准生  产速度达400MHz的内存  ，似乎没多大意义。在本周召开的JEDEX会议中，有5家内存厂商同意，在2003年第一或第二季推出工作电压为1.8V的DDR-II内存样品。

　　JEDEC预计在3月会完成DDR-II规格制订，不过，支援芯片规格则需至6月才会完成，9月完成模块规格制订。

  　根据JEDEC的DDR-II未来蓝图规划，DDR-II将有400、533、667MHz 3种速度规格。在高速绘图市场，DDR-II内存则将推出800与1,000MHz速度规格。DDR-II内存将有200、220与240接脚FBGA封装形式。

　　Elpida表示，初期DDR-II内存工作电压为1.8V，容量达512M。Elpida将采0.13微米制程技术生产DDR-II内存。DDR-II内存的指令与DDR-I相同，然其具有4、8爆冲长度（burst length）、不具半周期的CAS延迟时间等特点。

  　Elpida预计，2002年中就可推出未具ODT（on-die termination）的DDR-II样品，具ODT的样品则在2003年1月推出。

　　此外，尽管JEDEX会议焦点集中在DDR-II上，然而Elpida透露，2004年DDR-II的下一代DDR-III架构，就将会有初期发展成果，而内存工作电压将持续降低，估计至2006年DDR-III工作电压将降至1.2V。