四、DDR SDRAM多通道设计的未来发展

    DDR SDRAM目前已经是市场上的绝对主流，今后我们所能接触到的多通道设计，也都会以DDR SDRAM为主。从nForce的引脚数大幅增加和问题，我们能感觉到DDR SDRAM内存由于64bit位宽所带来的压力，增加一个通道就意味着至少要增加64个引脚以供数据传输，这对于芯片组的设计是一个挑战。
支持双通道RDRAM的850/E北桥芯片的引脚数只有615个，支持双通道DDR SDRAM的865系列是932个，当然不排除为与865G做引脚兼容所做出的牺牲，但增加一个DDR通道所增加的引脚数的确不可忽视。这就给进一步增加DDR SDRAM通道提出了一个难题，不过Intel在其Itanium 2平台上所使用的E8870芯片组做出了有益的尝试。

    E8870要求必须是4条DIMM一组安装，达到了256bit的总位宽，数据传输率频率200MHz（DDR-200）以满足128bit位宽/100MHz QDR的Itanium FSB的带宽需要从结构图上，我们似乎看不出有什么不同，但深入分析它的内存控制架构，我们就会有新的发现了。

E8870内存控制架构

SNC（可变节点控制器）并不直接控制内存，而是通过外接DMH（DDR Memory Hub，DDR内存中心）来联接DIMM，那么我们要关注的就是用于DMH和SNC之间连接的Main Channel（主通道）的设计。

DMH细节示意图

    大家看到什么了？对，Rambus，主通道用的是Rambus通道的传输技术。也就是说，DMH本身是一个DDR控制+Rambus信号转换器，此时它所控制的子通道纯粹是为了增加容量而不是为了增加带宽，因为带宽已经被主通道的800MHz/16bit带宽（除ECC数据，纯带宽1.6GB/s，与DMH所支持的DDR-200/64bit的带宽一样）限制住了。
    倒过来再看SNC一方，由于采用了Rambus通道，使它的引脚压力大为减轻，否则以它的复杂程度，不可能做到1357引脚的水平。因此，这可以认为是其采用Rambus通道的一个最重要的原因。
    从E8870的设计上，我们能发现Rambus的确是有闪光点的，但在目前的情况下，也只有在如此高端的产品上才会出现它的身影。不过它的应用，在很大程度上提高了多路（大于2）DDR内存通道的可行性。

总结

    到此，相信大家已经对多通道内存技术有了较为深入的了解。至于VIA与SiS的多通道芯片组，在此不多说了，因为其思路不会在Intel与nVIDA之外；AMD的K8也是如此，双通道内存控制器虽然集成在CPU内部，但万变不离其宗，对于K8来说也只有提高带宽的一条路可走。
    可以肯定，由于内存速度提高相对缓慢，未来将是多通道系统的天下，或许很快我们都会用上多通道的系统。