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保守路线：Samsung PC3200 CL3内存模组
这条内存并不是三星半导体专门送测的产品，而是威盛送测的VIA KT400主板中附送的。在之前，我了解到这款内存条被很多主板厂商“指定”为主板测试的内存模组，因为在其上工作最稳定－－在P4X400刚刚推出的时候，我拿到的一款样板就只能让三星DDR400内存运行在200MHz上。 但是不知道为什么，这款内存在规格上相当的保守，其CAS延迟时间为3，是所有5个厂商的DDR400内存模组中默认延迟时间最长的的一款产品。需要提醒大家的是，三星同其它的厂商所不同的是它即是内存颗粒生产厂商也是内存模组厂商，因此在产品的推出速度、稳定性、可靠性上都是更值得信赖的。
Samsung PC3200 CL3内存模组正面
Samsung PC3200内存模组，采用了8颗编号为K4H560838D-TCC4的三星自己生产的颗粒，全部分布在内存模组的一侧。
Samsung PC3200 CL3内存模组背面
Samsung PC3200 CL3
从其M368L3223DTM-CC4编号上我们也可以对于这款DDR模组有一定的了解，下面我们解释一下各个部分的含义：
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1、M表示这是三星产品中的内存模组产品
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2、模组类型，3代表DIMM，4代表SODIMM
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3、数据位
68:x64 184 Unbuffered DIMM
81:x72 184 ECC Unbuffered DIMM
83:x72 184 Registered DIMM
12:x72 184 LP Registered DIMM
70:x64 200 Unbuffered SODIMM
63:x64 172 Unbuffered SODIMM
85:x72 200 Unbuffered SODIMM
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4、L:DDR SDRAM（2.5V VDD）
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5、
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6、刷新时间、Banh数据以及接口：1代表4k/64ms 4banks & SSTL-2，2代表8k/64ms 4banks & SSTL-2
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7、0代表x4，3代表x8，4代表x16，8代表x4 Stack
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8、代表版本，M：第一代，A：第二代，B：第三代，C：第四代，D：第五代，E：第六代
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9、封装形式，T代表TSOP II(400mil x875 mil)、K代表DDP TSOP II(400mil)、N代表sTSOP封装
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10、PCB版本和类型：0代表主板PCB，1代表第一版本，2代表第二版本，3代表第三版本，L/S代表第四版本（UB-DIMM/R-DIMM），M/T代表第五版本（UB-DIMM/R-DIMM）
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11、功耗，C代表商业普通（0°C－70°C）、L代表商业低端（0°C－70°C）
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12、速度，C4：DDR400(200MHz@CL=3)、B3:DDR333(166MHz@CL=2.5)、A2：DDR266A(133MHz@CL=2)、B0:DDR266B(133MHz@CL=2.5)、A0:DDR200（100MHz@CL=2）
Samsung PC3200 CL3内存模组采用的内存颗粒
编号为K4H560838D-TCC4的颗粒为32M x 8 bit（4bank）结构，其 可以在CL=3的情况下工作在DDR400的频率上。由于三星的颗粒被多家内存模组产生采用，属于比较多见的产品，这里我们对于其编号的含义进行简单的介绍：
| 1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
| K |
4 |
H |
56 |
08 |
3 |
8 |
D |
T |
C |
C4 |
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1、K：代表三星内存
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2、4：代表DRAM
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3、H：代表是DDR SDRAM
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4、这里的参数代表颗粒存储密度和刷新时间
64：64Mb，4k/64ms
28：128Mb，4k/64ms
56：256Mb，8k/64ms
51：512Mb，8k/64ms
1G：1Gb。8k/64ms
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5、代表组织结构，
04:x4
06:x4Stack
08:x8
16:x16
32:x32
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6、代表bank数目，这里的3代表4bank
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7、8代表SSTL-2(2.5v,2.5v)
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8、代表版本：M第一代、A第二代、B第三代、C第四代、D第五代、E第六代
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9、封装类型，T:TSOP II(4oomil x 875mil)，K:DDP TSOP(400mil)，G:FBGA，U:400mil Pb free(66pin TSOP II)，N:sTSOP
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10、代表温度和功耗，C:商业普通（0-70°C），L商业低端（0°C-70°C），E普通扩展模式（－25°C-85°C），N扩展低端模式（－25°C-85°C），I工业普通模式（－40°C-85°C），P工业低端模式（－40°C-85°C）
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11、速度，这个指标对于大部分用户来说非常的重要，一定要记住啊。C4：DDR400(200MHz@CL=3)、B3:DDR333(166MHz@CL=2.5)、A2：DDR266A(133MHz@CL=2)、B0:DDR266B(133MHz@CL=2.5)、A0:DDR200（100MHz@CL=2）
